进的248nm扫描投影式光刻机,制程工艺只有μm。
Nikon半导体设备公司如今批量生产8英寸晶圆和500nm制程工艺的光刻机,正在研制8英寸晶圆和350nm制程工艺的光刻机;其他国外主流光刻机公司批量生产6英寸晶圆和800nm制程工艺的光刻机,正在研制8英寸晶圆和500nm制程工艺的光刻机。
BSEC从4英寸晶圆到8英寸晶圆,还需要攻克5英寸、6英寸和8英寸晶圆三道技术关口,制程工艺从μm到500nm,中间还有1μm、800nm和500nm三道关卡,赶上世界先进水平,任重道远!
芯片制程工艺一般以倍的速度减小,在单位面积芯片上晶体管数量以2倍的速度增加。
前世千禧年后,光刻机就被列入863重大科技攻关计划,将工Y部原45所从事分步投影光刻机的研发团队整体迁至沪海,与中K院沪海光学精密研究所和沪海光学精密机械厂合并,组建了沪海微电子装配公司,承担国产光刻机“十五”攻关项目。
光刻机的原理其实就像幻灯机一样简单,就是把光通过带电路图的掩膜投影到涂有光刻胶的晶圆上。
光刻机包括曝光系统(照明系统和投影物镜系统)、工作台掩膜版系统、自动对准系统和整机软件系统等。
主要部件包括光源、光学系统(镜头)和工作台(托盘和底座)。
光源是基本配置,需要提供某个波段光的能量,而且还要极端稳定。
通过各种镜头把光控制在几平方厘米的一个长方形内,叫field。
镜头是光刻机的核心部件,主要就是玻璃和钢,一个1x的镜头后面直径有一米左右,重有一、二吨,4x的要大很多和重很多,这种大型的镜头光学系统如今只有尼康、蔡司公司和佳能公司能生产。
日本和德国公司在光刻机光学系统、光刻胶和掩膜版技术上领先世界。
GCA的最大缺点就是因为蔡司公司提供的光学系统跟不上光刻机行业的飞速发展,导致GCA每次光学系统更新都比尼康公司慢半拍,制程工艺比尼康慢一代,在高端光刻机市场上被步步领先的尼康公司打败。
工作台就是一个大托盘,下面是线性马达来控制平台移动。
正常途径就是光源通过反光镜镜头组,集光再反投到掩膜板上。
掩膜板就是电路图反刻,从实验室里刻出来的,光透过掩膜板透明的部分投放到硅片上,曝光几十毫秒后,通过化学反应弄出硅片上的电路图。
掩膜板主要是玻璃片,上面刻有预想的电路,然后放在机器上曝光,刻到硅片上看效果。
光刻机光源从六十年代初到八十年代中期,汞灯已用于光刻,其波长分别为436nm(g线)、405
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